半导体存储器行业迎来变革，传统的DRAM和NAND技术遇到瓶颈，新型存储器迎来发展机遇。中国近期投入巨资发展存储器产业，新型存储器成为弯道超车的最佳选择。继此前《国家战略》/《智能终端》/《投资地图》/《物联网》/《设备和材料》五篇前瞻性半导体深度专题后，首次深度分析了新型存储器的发展机遇和投资机会，重点推荐紫光国芯、兆易创新、华天科技、深科技、七星电子、上海新阳、兴森科技、南大光电、太极实业。
传统半导体存储器技术遇瓶颈，新型存储器迎发展机遇，重点关注3DNAND/DRAM、3DXpoint和PCRAM。传统的DRAM和Flash存储器在速度上无法满足CPU的要求，且平面NAND和DRAM技术进入1x纳米制程存在技术和经济效益瓶颈。而3DNAND、3DXpoint、PCRAM等新型存储器在性能、成本等多方面有优势，且技术日臻成熟，部分新型存储器已经开始量产。三星年内将量产64层3DNAND，英特尔和美光也将于今年底或明年量产全新的3DXpoint存储器。在新型存储器中，结合性能和研发进度，认为3DNAND/DRAM、3DXpoint和PCRAM最值得关注。
半导体存储器市场规模近800亿美元，呈寡头垄断局面。2015年全球半导体存储器的销售额为772亿美元，在半导体市场的占比为23%，其中DRAM、NAND、NOR存储器的销售额分别为约410亿、300亿、30亿美元。三星，海力士和美光三家垄断了95%的DRAM市场，三星、东芝/闪迪、美光、海力士四家垄断了99%的NAND市场，前6大厂家垄断90%的NOR市常
紫光联手武汉新芯，加快存储器产业发展。发展存储器的战略和经济意义重大，中国大陆发展存储器的决心十分坚定。7月26日紫光集团联合武汉新芯成立长江存储，打造存储器国家队。紫光集团的资本优势和武汉新芯的技术优势相结合，集中优势资源发展存储器，将加快我国存储器产业的发展。
新型存储器成为我国存储器产业弯道超车的最佳选择。存储器行业门槛高，我国在传统的存储器方面落后太多，很难在短期内赶超国外同行。而在新型存储器方面，国内与海外差距相对较小，例如我国拥有自主知识产权的PCRAM技术已经取得突破，用于打印机的PCRAM存储器芯片年出货量超过千万颗。因此，发展具备自主知识产权的新型存储器有望实现弯道超车。