投资要点：
本周（2025/12/29-2026/1/4）SW电子行业指数（-0.16%），涨跌幅排名13/31位，沪深300指数（-0.59%）。SW一级行业指数涨跌幅前五分别为：石油石化（+3.92%），国防军工（+3.05%），传媒（+2.13%），汽车（+1.44%），机械设备（+1.32%），涨跌幅后五分别为:公用事业（-2.72%），食品饮料（-2.26%），电力设备（-2.18%），医药生物（-2.06%），非银金融（-1.84%）。本周SW电子三级行业指数涨跌幅前三分别是：面板（+2.09%），LED（+1.35%），消费电子零部件及组装（+1.04%），涨跌幅后三分别是：其他电子Ⅲ（-2.91%），电子化学品Ⅲ（-2.72%），半导体材料（-1.76%）。

事件：据上交所12月30日披露信息，长鑫存储科创板IPO审核状态已更新为“已受理”，此次IPO拟融资金额达295亿元。该公司成立于2016年6月13日，总部坐落于安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园，是一家专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）设计、研发、生产及销售的国家高新技术企业。

DRAM作为易失性存储器的核心品类，可直接与CPU、GPU等计算芯片高效交互，专门承载计算过程中产生的海量临时数据，是支撑高性能计算的关键硬件基矗其芯片结构主要由存储单元、外围逻辑电路及周边线路构成，容量拓展核心依赖存储单元数量增加与单位面积存储密度提升。相较于NANDFlash、NORFlash，DRAM以随机字节读写能力、更优的性能表现、适中的大容量优势及较低成本为核心特征，广泛应用于主内存（内存条）、显卡显存等核心场景，是电子设备运算效率提升的重要支撑。

TrendForce数据显示，2024年全球DRAM市场规模达958.6亿美元（同比+84.2%)。

2025Q1-3全球DRAM市场规模合计达1000.5亿美元（同比+48.7%)；市场格局方面，韩美厂商主导地位稳固，2025Q3SK海力士、三星、美光分别以33.2%、32.6%、25.7%的份额占据前三，合计占比超90%，行业集中度维持高位；技术发展上，国际头部厂商加速推进先进制程与AI专用产品，三星量产第六代10nm级1cDRAM且HBM4计划2026年量产，美光推出1γ节点LPDDR5X内存赋能端侧AI，国产厂商同步实现突破，长鑫存储发布通过JEDEC认证的DDR5（最高8000Mbps）与LPDDR5X（最高10667Mbps）内存，华邦电子推出16nm制程8GbDDR4DRAM适配工业与嵌入式场景。

长鑫存储自2016年启动合肥DRAM基地一期工程以来，逐步完善产能布局与技术研发体系，2017-2018年完成合肥基地厂房建设与设备搬入并于2018年试产8GbDDR4样品实现技术落地突破，2020-2022年陆续启动北京DRAM一、二期项目，完成北京+合肥双基地框架搭建，为规模化产能释放奠定坚实基础；产品端持续迭代升级，2023年推出LPDDR5产品、2024年实现DDR5量产，2025年进一步展示DDR5与LPDDR5X新品。

2024年长鑫存储实现营业收入241.78亿元（同比+166.07%），2022-2024年复合增长率达70.81%，同时公司预计2025年营业收入将达到550-580亿元。长鑫存储IPO募投资金预计将达295亿元，其中75亿元拟用于“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”，旨在对现有量产线进行技术升级；130亿元拟用于“DRAM存储器技术升级项目”，该项目总投资达180亿元，将重点推动工艺技术平台向更高代际跃迁；此外，90亿元将用于“前瞻技术研究与开发项目”，聚焦于下一代存储技术的预研。

投资建议：随着长鑫存储IPO成功受理，我们预计国产DRAM存储产业链将会迎来加速发展，建议关注上游国产半导体设备及材料的投资机会。

风险提示：1）国际贸易摩擦加剧2）下游需求不及预期3）技术升级进度滞后