氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展

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1 论文标题：氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展

2 作者信息：安蒙恩, 修慧欣：上海理工大学材料与化学学院，上海

3 出处和链接：安蒙恩, 修慧欣. 氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展[J]. 应用物理, 2023, 13(6): 274-290. https://doi.org/10.12677/APP.2023.136032

4 摘要：氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)由于具有高截止频率、高工作电压和工作温度范围广泛等特点，越来越多地应用于高频和高功率器件等电力电子领域。然而，在实际应用中，在高温高压等极端情况下，GaN HEMTs会出现退化甚至失效，这使得失效后器件的物理分析对于提高可靠性和进一步的器件优化至关重要。本文介绍了分析器件失效机制的分析方法，对失效后物理表征技术工作原理、表征范围及研究进展方面进行了简要综述，为进一步提高器件可靠性和器件的进一步优化提供了参考。

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关键词：研究进展 失效分析 晶体管 上海理工大学 HTTP

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