SiC和GaN外延生长设备全球市场总体规模，预计2029年达到16.2亿美元

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SiC和GaN外延生长设备全球市场总体规模

SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）外延生长设备，也称为外延生长装置，是一类专用设备，用于在半导体制造过程中生长SiC和GaN晶片的外延层。这些外延层通常用于制造高性能电子器件，如功率半导体、射频（RF）器件、发光二极管（LED）和激光二极管（LD），因为SiC和GaN材料具有出色的电学和光学性能。

据QYResearch调研团队最新报告“全球SiC和GaN外延生长设备市场报告2023-2029”显示，预计2029年全球SiC和GaN外延生长设备市场规模将达到16.2亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为7.2%。

主要驱动因素:

高性能电子需求： 高性能电子器件的需求正在增加，特别是在领域如电动汽车、5G通信、能源转换和照明。SiC和GaN外延生长设备用于制造这些器件所需的材料。

节能和高效： SiC和GaN材料在高温和高频应用中具有出色的性能，可以提供更高的能源效率。这促使制造商寻求使用这些材料，并因此需要外延生长设备。

绿色能源： 可再生能源产业的增长也促进了对SiC和GaN外延生长设备的需求，因为它们可用于制造太阳能逆变器和其他能源转换器件。

主要阻碍因素:

高成本： SiC和GaN外延生长设备通常价格昂贵，这可能限制中小型制造商的投入。高成本也可能对设备的采用产生影响。

技术复杂性： 这些设备的操作和维护通常需要高度专业化的技能和知识，这可能对操作人员和维护团队提出挑战。

市场竞争： SiC和GaN外延生长设备市场竞争激烈，有多家制造商提供不同类型的设备。这可能导致价格竞争和毛利率下降。

行业发展机遇:

技术创新： 制造商可以通过不断改进设备的性能和效率来应对市场需求。新技术和创新的外延生长过程可以提供更好的晶片质量和生产效率。

拓展应用领域： SiC和GaN材料的应用领域不断扩展，包括无线通信、电动汽车、电源管理等。制造商可以寻求满足不断增长的需求。

全球市场： 国际市场对SiC和GaN材料的需求也在增长，特别是在亚洲市场。制造商可以考虑拓展国际市场份额。

全球范围内SiC和GaN外延生长设备生产商主要包括Tokyo Electron Limited、Aixtron、Advanced Micro、NAURA、NuFlare等。2022年，全球前四大厂商占有大约58.0%的市场份额。

就产品类型而言，目前CVD是最主要的细分产品，占据大约51.75%的份额。

就产品类型而言，目前碳化硅外延是最主要的需求来源，占据大约59.48%的份额。

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关键词：全球市场 亿美元 SIC Electron Research