基于SiC MOSFET的交错并联Boost变换器电压尖峰抑制方法

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1 论文标题：基于SiC MOSFET的交错并联Boost变换器电压尖峰抑制方法

2 作者信息：王朋辉, 付有良, 邹爱龙, 刘志鹏, 王永军：内燃机与动力系统全国重点实验室，山东 潍坊;潍柴动力股份有限公司，山东 潍坊

3 出处和链接：王朋辉, 付有良, 邹爱龙, 刘志鹏, 王永军. 基于SiC MOSFET的交错并联Boost变换器电压尖峰抑制方法[J]. 电力与能源进展, 2023, 11(6): 185-193. https://doi.org/10.12677/AEPE.2023.116021

4 摘要：大功率变换器的发展趋势是高频率、高效率和高功率密度。与传统的Si MOSFET相比，SiC MOSFET因具有开关速度快、开关损耗低、工作温度高等优点，得到了广泛的应用。然而，SiC MOSFET在高速关断过程中容易产生电压尖峰和振荡，严重威胁到功率变换器的可靠运行。针对这一问题，本文对SiC MOSFET关断过程进行详细分析后，分别针对影响关断电压尖峰的两种因素，提出了相应的抑制方法。为验证所提方法的有效性，搭建了试验平台。通过试验结果可知，所提出的方法可以有效抑制关断过程中产生的电压尖峰，而不会显著增加开关损耗。

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关键词：boost SIC SFE FET 股份有限公司