2014年北京大学938半导体物理考研试题（回忆版）

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2014 年北京大学 938 半导体物理考研试题（
         半导体物理考研试题（回忆版）
              回忆版）


一、名词解释（
  名词解释（30 分）
1.半导体载流子
2.超晶格
3.爱因斯坦关系
4.声子散射
5.俄歇复合
6.施主电离能
二、计算题
1.一块 n 型半导体，
      掺杂浓度在体内是呈线性关系， 在 x=0 处为掺杂浓度为 N(0)，
载流子浓度分别为 n，p，电势为 0，距离 X 处的电势为 V。画出该半导体在平衡
时的能带图，求出 X 处的载流子浓度分别为多少。
2.一块 p-i-n 的结，如图，p 型半导体与 n’型半导体之间隔着一块本征半导体，
设掺杂浓度分别为 Na，Nd，在突变耗尽的条件下求：
P 型半导体 本证半导体 N 型半导体
        -Xp 0       d Xn
（1）列出泊松方程。
（2）求出最大场强 Em
（3）验证总的电压降 ψm=，Wd=Xp+Xn
（4）求出总的耗尽层宽度
3.异质结原题（2009 年第四题）
4.Mos 原题（2009 年第六题）
5.金半接触，金属功函数 φm＜n 型 ...

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关键词：北京大学 考研试题 北京大 半导体 回忆版