N阱CMOS工艺课件
CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型(100)衬底上以减小衬底电阻 ,防止闩锁效应。
CMOS工艺的第一步是在衬底上生长一层轻掺杂的P型外延层,比标准双极工艺采用的外延层薄很多。理论上CMOS工艺不需要外延层,因为MOS管可以直接在P型衬底上形成。外延工艺增加了成本,但是采用P+衬底可以提高抗闩锁效应的能力。
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楼主: 打了个飞的
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[课件与资料] N阱CMOS工艺课件 |
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