楼主: W160730202752Fy
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W160730202752Fy 发表于 2025-2-13 18:34:25 |AI写论文

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和近自由电子近似认为原子实对电子作用很弱相反,本节,我们假定原子实对电子束缚作用很强,所以,当电子距某个原子实比较近时,电子运动主要受该原子势场影响,受其它原子势场影响很弱。所以电子行为同孤立原子中电子行为更为相同。    这时可将孤立原子看成零级近似,而将其它原子势场影响看成小微扰,由此能够给出电子原子能级和晶体能带之间相互联络。这种方法称为紧束缚近似 (Tight Binding Approximation)。
定性说明微扰计算原子能级与能带对应
参考:黄昆书4.5节 p189
6.4 紧束缚近似(TBA)
一. 定性说明:
    下列图绘出了一维原子势,假定原子势很强,所以,当一个电子在晶体中运动并被一个离子束缚住时候,在它被释放或隧穿到另一个离子之前,将会停留相当长时间,在受束缚期间,电子轨道主要是围绕单个离子,其态函数基本上是一个原子轨道,受其它原子影响很小。(图中表明,产生电子能量显著低于势垒顶点。)    该模型主要适合于晶体中原子间距较大时,或能带低而窄、壳层半径比晶格常数小得多情况,这时原子轨道只受到其它原子很微弱作用,过渡金属中很主要3d能带就是一例。
一 ...
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