静电纺丝法制备SnO_2:xLn~(3+) (Ln=Eu, Sm, Tb, Dy)纳米纤维及其光学性质研究
一维纳米材料基于独特的形貌,新奇的物理和化学性质,及潜在应用价值已经引起了人们的高度重视。人们普遍认为一维纳米结构提供了一个很好的系统去研究维度对材料性能的影响。
已有许多方法制备一维纳米材料,如模板法,溶胶-凝胶法,阴极射线或聚焦离子束(FIB),化学气相沉积法(CVD)和静电纺丝法。上述方法中,静电纺丝法是一种简单和高效的用于制备大量连续且均匀的纳米纤维的方法。
不同类型的半导体氧化物纳米纤维,如氧化锌,二氧化钛,氧化锰等已通过静电纺丝技术合成。作为一种重要的n型半导体,SnO2基于众所周知的宽带隙,低电阻率,高光学透明性和优良的化学稳定性在固态气体传感器,太阳能电池透明电极和发光二极管等领域具有潜在的应用价值。
由于尺寸,形状和维度是决定半导体特性的重要参数,各种SnO2一维纳米功能材料,包括纳米线,纳米带,纳米管和纳米棒已经通过不同方法制备出来了;采用静电纺丝技术也制备了SnO2纳米纤维,并对其气敏特性进行了重点研究。在宽禁带半导体中掺入稀土离子往往会引起其性质的显著改变 ...


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