单片机期末复习
指导老师:东哥完成者:MZ
硅片制造厂分区
二氧化硅制备方法
CVD(化学气相淀积)PVD(物理气相淀积)热氧化 1、热氧化生成二氧化硅掩蔽能力最强 2、质量最好、重复性和稳定性最好 3、降低表面悬挂键从而使表面状态密度减小,且能很好控制界面陷阱和固定电荷
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楼主: W160730202752Fy
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[课件与资料] 硅集成电路工艺基础期末复习市公开课一等奖省赛课获奖PPT课件 |
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