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雷达卡
1.半导体中的电子状态
金刚石与共价键（硅锗
IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移
1/4套构而成
闪锌矿与混合键（砷化镓
III-V族）：具有离子性，面心
立方+两个不同原子
纤锌矿结构：
六方对称结构（
AB堆积）晶体结构：
原子周期性排列（点阵
+基元）共有化运动：
原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以在整个晶体中运动
。能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，
受势场力作用，
把同一个
能级分裂
为相互之间具有微小差异的极其细致的能级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围内
，可以认为是连续的。
能隙（禁带）的起因：
晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。
（边界处布拉格反射形成驻波，电子集聚不同区域，造成能量差）
自由电子与
半导体的
E-K图：自由电子模型：
半导体模型：
导带底：
E(k)>E(0)
，电子有效质量为正值；
价带顶：
E(k)<E(0)
，电子有效质量为负值；
能带越窄，
k=0处的曲率越小，二次微商就小，有效质量就越大。
正负与有效质量正负 ...
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