集成电路制造技术
主要内容
多晶硅旳制备直拉法制备Si单晶Si片旳制备
1.1.1 半导体材料旳类型1)元素半导体 2)化合物半导体 3)合金(固溶体)
元素半导体
C(金刚石),Si, Ge, Sn
晶格构造:金刚石能带构造:间接带隙
Sn: 0.08 eVGe: 0.67 eVSi: 1.12 eV C: 5.50 eV
1.1 多晶Si旳制备
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楼主: 打了个飞的
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[课件与资料] 衬底制备获奖课件 |
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