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离子注入法介绍
■ 概述■ 离子注入工艺设备及其原理■ 射程与入射离子得分布■ 实际得入射离子分布问题■ 注入损伤与退火■ 离子注入工艺得优势与限制
离子注入(Ion lmplantation)
参考资料:《微电子制造科学原理与工程技术》第5章离子注入 (电子讲稿中出现得图号就是该书中得图号)
■ 离子注入工艺就是IC制造中占主导得掺杂技术■ 离子注入:将杂质离化,通过电场加速,将这些离化 得杂质直接打入硅片中,达到掺杂得目得■ 一般CMOS工艺流程需6～12次离子注入■ 典型得离子注入工艺参数:能量约5～200keV, 剂量约1011～1016/cm2。
一、概述
(一)介绍
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