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IGBT是功率半导体器件中的主导型器件，对整个电力电子产业发展产生重大影响。IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，由功率二极管、晶闸管、BJT、MOSFET发展而来，其结合了MOSFET和BJT两种器件的优点。BJT特点为通态压降小，载流能力大，但驱动电流较大；而MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合以上两种器件的特点，在通态压降和开关时间之间形成较好平衡，同时导通损耗和开关损耗之和达到较小状态，具备了高频率、大电流密度及高电压能力等特性，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、牵引系统等领域。
IGBT从产品形态上来看，可以分为单管、模块及IPM三种，IGBT单管是将从晶圆上切割的管芯简单封装的产品；而模块是将多个IGBT芯片按照特定电路形式结合，电流规格、电压等级及安全性均大幅高于单管；IPM其实是模块的一种，是将门极驱动和保护电路也封装在模块内部的一种产品。
IGBT从结构上来看，可以分为纵向结构、栅极结构和硅片加工工艺三种，制造工艺上也是经历了6代技术及工艺演进。伴随制造工艺从第一代平面栅穿通（PT）型发展至第六代沟槽型电场截止型（FS-Trench）IGBT，芯片面积缩小超过70%，功率损耗下降80%左右，硅片厚度减少1/3以上，从而使得制造成本、可靠性及产品性能均得到大幅改善。出色的产品性能、较强的渗透性和长生命周期使得IGBT已经成为继晶闸管之后最具有普及价值的电力电子技术第二代平台性器件，广泛应用于家用电器、交通运输、新能源及航空航天等各个领域。
全球IGBT市场实现较快增长，竞争格局稳定。由于IGBT较强的对能源使用效率的提升作用，其已经在诸多关乎国计民生及国家安全的领域得到应用。根据Yole的统计，2017年全球IGBT市场规模已经达到58亿美元，同比增长8%，这主要得益于全球工业领域机器人、半导体生产设备及新能源汽车快速发展带来的巨大需求。同时，根据iSuppli的估算，未来几年全球IGBT市场仍将保持年均12%左右的增长速度，预计到2020年总体市场规模将在80亿美元以上。
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IGBT持续涨价对国内主要相关企业影响几何.pdf
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