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[统计数据] 纳米管传感器的标度律 [推广有奖]

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大多数88 在职认证  发表于 2022-3-28 08:55:00 来自手机 |AI写论文

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摘要翻译:
半导体纳米线和碳纳米管对带电分子结合的灵敏电导变化提供了一种新的传感方式,通常称为纳米管传感器。本文通过将纳米板简化为分子受体位于晶格位置的随机电阻网络,研究了纳米板FET传感器的标度律。在器件宽度变小的情况下,纳米线/管场效应管被包括在内。计算机模拟表明,结合分子施加的场效应强度对标度行为有显著影响。当场效应强度较小时,纳米粒子的尺寸和形状依赖性很小。相反,当场效应强度越大时,电荷积累型场效应管的检测阈值越低,电荷耗尽型场效应管的检测阈值越高。在这些阈值下,纳米器件经历了低灵敏度和大灵敏度之间的过渡。这些阈值可能会设定纳米薄膜传感器的检测极限,但可以通过设计极短的源漏距离和大宽度的器件来消除这些阈值。
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英文标题:
《Scaling Laws for NanoFET Sensors》
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作者:
Fu-Shan Zhou, Qi-Huo Wei
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最新提交年份:
2007
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分类信息:

一级分类:Physics        物理学
二级分类:Materials Science        材料科学
分类描述:Techniques, synthesis, characterization, structure.  Structural phase transitions, mechanical properties, phonons. Defects, adsorbates, interfaces
技术,合成,表征,结构。结构相变,力学性质,声子。缺陷,吸附质,界面
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一级分类:Physics        物理学
二级分类:Statistical Mechanics        统计力学
分类描述:Phase transitions, thermodynamics, field theory, non-equilibrium phenomena, renormalization group and scaling, integrable models, turbulence
相变,热力学,场论,非平衡现象,重整化群和标度,可积模型,湍流
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英文摘要:
  The sensitive conductance change of semiconductor nanowires and carbon nanotubes in response to binding of charged molecules provide a novel sensing modality which is generally denoted as nanoFET sensors. In this paper, we study the scaling laws of nanoplate FET sensors by simplifying nanoplates as random resistor networks with molecular receptors sitting on lattice sites. Nanowire/tube FETs are included as the limiting cases where the device width goes small. Computer simulations show that the field effect strength exerted by the binding molecules has significant impact on the scaling behaviors. When the field effect strength is small, nanoFETs have little size and shape dependence. In contrast, when the field-effect strength becomes stronger, there exists a lower detection threshold for charge accumulation FETs and an upper detection threshold for charge depletion FET sensors. At these thresholds, the nanoFET devices undergo a transition between low and large sensitivities. These thresholds may set the detection limits of nanoFET sensors, while could be eliminated by designing devices with very short source-drain distance and large width.
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PDF链接:
https://arxiv.org/pdf/710.1308
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关键词:标度律 传感器 accumulation Transitions significant 位于 effect field binding 效应

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