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单粒子效应和CMOS器件的加固
姓名：张鑫       学号：201324692016-06-08
半导体器件建模分析
空间单个的高能重离子或者质子，在器件材料中通过直接的电离作用或者核反应产生的次级粒子的间接电离作用形成的额外电荷，导致的器件逻辑状态、功能、性能等的变化或损伤现象。单粒子效应具体包括单粒子翻转、单粒子瞬态脉冲、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。
单粒子效应（Single Event Effect）
单粒子效应（SEE, single event effect）产生自单个高能粒子（single, energetic particle）。单粒子翻转（SEU, single event upset)产生的可能性由Wallmark and Marcus在1962年首次提出。1975 年美国发现通信卫星的数字电路JK 触发器由于单个重核粒子的作用被触发。陆续发现陶瓷管壳所含的微量放射性同位素铀和钍放出的α粒子以及宇宙射线中的高能中子、质子、电子等, 都能使集成电路产生单粒子效应。进一步的模拟试验和在轨卫星的测试证实: 几乎所有的集成电路都能产生这种效应。
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