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InAs/GaSb超晶格光伏型红外探测器研究
InAs/Ga（In）Sb超晶格具有第二类型能带排列方式，它的能带结构可以通过改变InAs层和GaSb层的厚度或者设计合适的势垒层得到调整，从而使得这个材料体系的禁带宽度有着很大的调整余地，理论上可以通过调整它的禁带宽度使得探测器的探测截止波长在2-30μm之间。本文对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件进行了理论和实验研究。
利用包络函数近似的8带k·p理论建模，应用有限元法对InAs/GaSb超晶格红外探测的的能带结构进行了计算，得出了超晶格能带在不同组分厚度，周期数以及InAs与GaSb厚度比时的值，并分析能带随着上述因素的变化趋势。超晶格周期在20-30个周期之间时，探测器的探测截止波长随周期数的增加而增加，30-70周期之间，看不到探测截止波长的增加。
随着超晶格周期厚度的增加，探测截止波长总趋势是增加的，但是这种增加呈现周期性震荡，在一个小周期内，随着超晶格周期厚度的增加，探测截止波长反而有少量的减少。随着超晶格中的InAs层的增加，探测器的探测截止波长变长。
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关键词：ASB 探测器 Gas 周期性 有限元