IGCT门极驱动电路的原理分析

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64               能源技术与管理                  2005 年第 5 期


          IGCT 门极驱动电路的原理分析
                   郑小刚1 ,2 ,谢    军3
        (1. 安徽理工大学 机械工程系 ,安徽 淮南 232001 ;2. 上海铁路局阜阳车辆段 ,安徽 阜阳 236000 ;
              3. 安徽职业技术学院 电气工程系 ,安徽 合肥 230051)
   [摘  要] 在目前的中电压大功率应用领域 ,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管 、           GTO 和
       IGBT 等 ,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷 。ABB 半导体公司率先
       提出了一种新型功率半导体器件 —IGCT。它的关键思想是将改进结构的 GTO 与
       反并联二极管和门极驱动电路集成在一起 , 再与其门极驱动器在外围以低电感方
       式连接 。在性能上明显优于目前广泛使用的 GTO 和 IGBT 器件 。着重对 IGCT 门
      ...

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关键词：GCT IGC 安徽理工大学 职业技术学院 上海铁路局