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微电子器件课件54
    在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只计入扩散电流而忽略漂移电流。
式中，
5.4.1 MOSFET 的亚阈漏极电流
    设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为
    根据高斯定理，
    定义沟道耗尽区的势垒电容为
    于是可得沟道厚度为

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关键词：电子器件 微电子 SUB DSU IDS