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应用铝碳化硅散热基板的LED高性能COB封装
随着LED功率化的发展，LED的功率要求不断增大，体积不断减小，集成度越来越大，因此对LED器件的性能要求越来越高。传统封装基板由于各自的缺点难于满足功率越来越大的COB封装要求，而AlSiC复合基板具有高热导率、热膨胀系数可调等优势，在LED封装中应用越来越广泛；另外，COB光源中出光效率较低以及工作热量大等问题也制约了其发展。
本文研究了AlSiC复合基板的制备方法和性能表征。采用模压成型的方法制备多孔SiC预制件，研究了造孔剂含量和模压成型压力对孔隙率的影响，研究结果表明了造孔剂含量在5%-14%之间时，孔隙率会随着造孔剂含量的增多大致呈线性增加；而成型压力越大，预制件的孔隙率就越小，其中造孔剂含量达到14%时，孔隙率超过40%，满足真空压力浸渗的需要。
通过显微和物相分析，从结果中得知，采用真空压力浸渗的方法制备AlSiC复合基板，SiC与Al混合均匀，结合良好，并很好地控制了界面的反应，Al4C3等有害相没有出现在测试结果中。通过优化参数，最终制备得到的AlSiC复合基板的热导率可达171.6W/m¤K，平均热膨胀系数为7.00* ...

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关键词：LED 碳化硅 高性能 测试结果 SIC