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InAs/GaSb超晶格微结构与光电特性研究
InAs/GaSbⅡ类超晶格被认为是颇具应用价值的第三代红外探测材料。与HgCdTe体材料相比,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有带隙灵活可调、电子有效质量大、材料均匀性好等优势。
理论上讲,InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器能够在保持较高量子效率的同时,实现较高的工作温度。在过去二十年间,对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器的研究已经取得了相当程度的发展。
最近的研究表明,InAs/GaSbⅡ类超晶格的基本性能已经达到自适应焦平面阵列的实际需求。但是,InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器热噪声限制比探测率的实测值仍然不如目前HgCdTe红外探测器,尚未达到其理论值。
这是由多方面原因造成的,诸如少子寿命短、背景载流子浓度高和器件暗电流大等。基于InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器国内外发展现状和存在的主要问题,本文利用分子束外延(MBE)技术,并结合超晶格界面控制,系统地研究了InAs/GaSb超晶格材料中应变平衡控制、界面原子互混和点缺陷分布等问题。
制备了截止波长17μm的p-i-n型超长波InAs/GaSb超晶格红外探测器 ...

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关键词：ASB 微结构 Gas 发展现状 探测器