工业纯铝阳极氧化膜阻挡层特性及其电沉积镍纳米线的研究
随着信息化时代的发展,纳米材料已经全面走进人们生活,降低生产成本、提高性能与生产效率是纳米材料的研究重点之一。阳极氧化铝(Anodic Aluminum Oxide,AAO)由于可控性高,工艺简单,常作为模板,用于不同类型纳米材料的制备。
AAO模板常用高纯铝作为基体,高纯铝价格昂贵,生产成本高;其阻挡层具有绝缘特性,模板使用前需要复杂的预处理。本文采用工业纯铝(1090Al)作为原材料,分析其阻挡层的半导体特性,并利用此特性进行了化学镀、直流电沉积、脉冲电沉积金属纳米线,建立了沉积模型,研究了提高填充率的影响因素,主要实验结果表明:工业纯铝(1090Al)制备的AAO模板,由于杂质元素在阳极氧化过程中被氧化或溶解,引发孔洞缺陷和分枝孔道的产生,因此模板有序度相对较差;伏安特性测试表明,1090Al AAO模板阻挡层在一定的负电位范围内呈现单向导通特性,而高纯铝AAO模板阻挡层具有绝缘特性;莫特-肖特基(Mott-Schottky)分析表明,1090Al AAO模板的阻挡层具有n型半导体特性,其平带电位为-1.7 V,整流特性同样证 ...


雷达卡


京公网安备 11010802022788号







