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抛光技术及抛光液
一、抛光技术
最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用
机械抛光
、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到
60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（
CMP Chemical Mechanical Polishing
）取代了旧的方法。
CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：
单纯的化学抛光
，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；
单纯的机械抛光
表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。
化学机械抛光
可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（
CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：
（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化 ...

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关键词：Mechanical Chemical Polish 半导体材料 Polis