微电子器件33

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微电子器件33
3.3.1 基区内建电场的形成
NB(x)
NB(WB)
NB(0)
WB
0
x
    在实际的缓变基区晶体管中，  的值为 4 ~ 8。   
    设基区杂质浓度分布为
式中  是表征基区内杂质变化程度的一个参数，
    当      时为均匀基区；
    因为        ，     ，所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用，是 加速场。
     令基区多子电流密度为零，
解得 内建电场 为
    小注入时，                    ，上式成为

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关键词：电子器件 微电子 晶体管