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雷达卡
微电子器件28
为了使通常pn结的正向压降减小，p和n区域的电阻值必须做小。这样一来，如前面所述，由于耗尽层难以展宽，反向耐压变低。要预防这种后果，可在高耐压的二极管里，将高电阻的n型硅，做成以低阻的p型(p+)和n型(n+)交错重叠的结构。这样，p+n结产生的耗尽层能向整个n型区域扩展，可以耐受高电压。只是pn结接触外部气氛的表面部分，由于高电压而会发生沿面放电，为了防止表面恶化而制作成斜角结构，使沿表面距离变大，并涂覆硅橡胶等加以钝化保护。
只是pn结接触外部气氛的表面部分，由于高电压而会发生沿面放电，为了防止表面恶化而制作成斜角结构，使沿表面距离变大，并涂覆硅橡胶等加以钝化保护。
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