(完好版)半导体工艺复习题..
填空20 ’ 简答 20 ’ 判断 10 ’ 综合 50 ’
第一单元
1.必定温度,杂质在晶体中拥有最大均衡浓度,这一均衡浓度就称为何?
固溶度
2.按制备时有无使用坩埚分为两类,有坩埚分为?无坩埚分为?( P24 )
有坩埚:直拉法、磁控直拉法
无坩埚:悬浮区熔法
3.外延工艺按方法可分为哪些?( P37 )
气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延
4.Wafer 的中文含义是什么?当前常用的资料有哪两种?
晶圆;硅和锗
5.自混杂效应与互扩散效应( P47-48 )
左图: 自混杂效应是指高温外延时, 高混杂衬底的杂质反扩散进入气相界限层, 又从界限层
扩散掺入外延层的现象。自混杂效应是气相外延的本征效应,不行能完好防止。
自混杂效应的影响:
○1 改变外延层和衬底杂质浓度及散布
○2 对 p/n 或 n/p 硅外延,改变 pn 结地点
右图:互(外)扩散效应:指高温外延时,衬底中的杂质与外延层中的杂质相互扩散,惹起
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