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NDIR（非分散红外）腔室清洗终点检测仪是一种基于红外光吸收原理的气体分析设备，专门用于实时监测半导体制造过程中腔室清洗产生的副产物气体浓度变化（如SiF₄、CF₄等），以精确判定清洗终点。这种设备通过红外光谱技术，结合先进的传感器和算法，能够实现高精度、高可靠性的气体浓度检测，广泛应用于薄膜沉积（CVD）等半导体制造工艺。
根据QYResearch的统计及预测，2024年全球NDIR腔室清洗终点检测仪市场销售额达到了0.23亿美元，预计2031年将达到0.41亿美元，年复合增长率（CAGR）为8.9%（2025-2031）
化学气相沉积（CVD）是一种化学工艺，其中挥发性前驱体与晶圆发生反应，在晶圆上沉积一层共形材料膜。这些膜包括多晶硅、二氧化硅、氮化硅和其他硅基材料。CVD不仅能在晶圆上沉积非常均匀的膜，还能在腔体表面沉积。随着时间的推移，腔体表面积聚的沉积物会导致颗粒物和潜在污染，从而降低晶圆良率。为了减少腔体壁沉积产生的颗粒物，必须定期清洁腔体以清除积聚物。清除腔体沉积物是通过引入反应气体（例如氟自由基）来实现的。自由基会与表面膜发生反应，生成四氟化硅、四氟化碳等气体，然后将其从腔体中去除。
腔体的最佳清洁时间是一系列变量的复杂函数，包括沉积材料的厚度、温度、压力、反应气体输送和材料化学成分。传统的腔室清洁是一个基于时间的工艺，由于腔室环境的复杂性，清洁速率变量可能会发生变化或漂移，给定腔室的单一清洁时间可能会随时间而变化大，所以统一的清洁时间无法满足所有腔室清洁要求，多数基于时间的工艺设计为过度清洁，以确保完全去除多个腔室的CVD薄膜。同样过度清洁会降低晶圆产量、反应气体过量使用，并可能损坏腔室壁。相反，清洁不足会导致沉积膜随时间积聚，从而产生颗粒，这最终也将导致产品良率降低。
NDIR腔室清洗终点检测仪通过直接测量四氟化硅、或者四氟化碳的生成量可以确定最佳的腔室清洁度。这种动态方法能够消除基于时间的方法的不确定性。此外，NDIR腔室清洗终点检测仪可以节省成本，减少清洁时间、反应气体使用量，延长腔室寿命。
随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长趋势；同时随着半导体生产线步升级，晶圆厂对薄膜沉积设备的数量和性能的需求将不断提升，将推动NDIR腔体清洁终点检测仪市场的扩容。
展望未来，全球NDIR腔室清洗终点检测仪市场将迎来更多的发展机遇。一方面，随着半导体产业向新兴市场的转移，以及新兴应用领域对半导体芯片需求的持续释放，全球半导体制造产能将进一步扩张，这将直接带动NDIR腔室清洗终点检测仪的市场需求增长。另一方面，技术创新将成为推动市场发展的核心动力。未来，NDIR腔室清洗终点检测仪将朝着更高精度、更快响应速度、更智能化的方向发展，通过与物联网、大数据等技术的融合，实现设备的远程监控、故障预警和智能运维，进一步提升设备的使用效率和管理水平。同时，针对不同工艺场景的定制化检测方案也将成为市场竞争的焦点，设备厂商将根据客户的具体需求，提供更加个性化的产品和服务，以增强市场竞争力。
不过，市场发展也面临一些挑战。首先，半导体制造设备行业的技术壁垒较高，NDIR腔室清洗终点检测仪的研发需要投入大量的资金和技术资源，对企业的研发能力要求较高，这可能限制部分中小企业的市场进入。其次，全球半导体市场的周期性波动可能会对市场需求产生一定的影响，在市场下行周期，半导体制造企业可能会缩减设备投资，进而影响NDIR腔室清洗终点检测仪的市场增长。此外，来自其他检测技术的竞争也不容忽视，如激光诱导击穿光谱（LIBS）等新兴检测技术的发展，可能会对NDIR技术的市场份额构成一定的威胁。
综上所述，全球NDIR腔室清洗终点检测仪市场在半导体产业发展的推动下，呈现出良好的增长态势。尽管面临技术壁垒、市场周期波动等挑战，但凭借其在高精度检测、成本控制等方面的独特优势，以及技术创新带来的发展机遇，市场未来前景依然广阔。对于设备厂商而言，应加大技术研发投入，提升产品性能和服务水平，积极拓展新兴市场和应用场景；对于半导体制造企业而言，应根据自身工艺需求，合理选择检测设备，以提升生产效率和产品质量，实现企业的可持续发展。
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