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雷达卡
根据业内消息人士在周日透露，韩国三星电子有望在今年第四季度重新夺回全球DRAM（动态随机存取存储器）市场营收第一的位置，超越本土竞争对手SK海力士。
预计三星在10月至12月期间的营业利润将超过18万亿韩元（约合122亿美元），超出此前市场的普遍预期。其中，负责DRAM、NAND闪存以及系统半导体业务的器件解决方案部门将成为此次业绩增长的核心动力。
该部门预计实现约15.1万亿韩元的营业利润，相比上一季度增长166%，与去年同期相比更是大幅上升422%。这一强劲表现将助力三星在全球DRAM供应商营收排名中重返榜首，使SK海力士退居第二。
分析指出，推动三星此次逆袭的关键因素有两个：一是公司在高带宽内存（HBM）技术上的加速追赶，逐步缩小与领先者的差距；二是受数据中心等人工智能基础设施投资热潮影响，传统DRAM产品价格持续走高，进一步提振了整体营收。
近年来，存储芯片领域的竞争日趋激烈。三星曾连续33年稳居全球DRAM市场首位，但在今年第一季度首次被SK海力士反超，失去了长期保持的领先地位。这一变化主要源于三星在HBM芯片研发和量产进度上落后于对手。
作为全球首家于2013年成功研发HBM芯片的企业，SK海力士长期以来主导着该高端市场。HBM基于3D堆叠技术，属于高性能DRAM，是当前人工智能（AI）计算架构中的关键组件。随着AI产业的迅猛发展，对HBM的需求也呈现爆发式增长。
相比之下，传统的DRAM则是目前应用最广泛的易失性半导体存储芯片，广泛用于服务器、智能手机、个人电脑等需要高速数据处理的设备中，承担着核心运行内存的功能。
在今年第二和第三季度，三星的DRAM收入仍持续落后于SK海力士。不过值得注意的是，随着三星加快HBM产能布局并提升制造良率，双方的市场差距已明显收窄。
据行业研究机构Omdia上月底发布的数据显示，受价格上涨带动，2023年第三季度（7-9月）全球DRAM销售额环比增长逾三成。SK海力士虽连续三个季度位居榜首，但市场份额已从上季的39.4%下滑至34.1%，下降5.3个百分点。同期，三星的市占率则由33.2%上升至33.7%，仅落后SK海力士0.4个百分点，较此前6.2个百分点的差距显著拉近。
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