楼主: 同壁财经
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存储密度有望大幅提升,关注科创芯片设计ETF浦银(589250) [推广有奖]

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同壁财经 发表于 昨天 11:27 |AI写论文

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10月12日,A股主要股指下跌,芯片板块早盘调整。

截至9:31,科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)跌1.67%;样本股,新相微涨0.96%、晶晨股份涨0.73%、乐鑫科技涨0.09%、思瑞浦涨0.08%,芯原股份跌2.97%、澜起科技跌2.7%、普冉股份跌2.2%、聚辰股份跌1.92%、DR东芯股跌1.65%;该指数近3年涨159.64%。

近日,长鑫科技宣布其4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。

据悉,DRAM 存储单元一般由 1 个晶体管加 1 个电容构成。F 是晶圆光刻工艺可实现的最小特征尺寸,代表最小线宽 / 间距。4F² 指单个单元占用面积为 4 倍 F 的平方。尺寸越小,单颗单元占用面积越低,晶圆单位面积就能集成更多单元,存储密度随之提高。

科创芯片设计ETF浦银(589250)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数(950162),高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司,其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节,在芯片板块环节中,相较半导体材料设备指数估值较低,更契合产业发展趋势。

弹性方面,上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司,成分股单日涨跌幅为±20%,弹性更大、进攻性更强。

成长性方面,科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,在2024年1月5日-2026年3月30日期间,标的指数累计上涨141.86%,是涨幅第一的芯片行业主题指数,高于科创芯片(133.60%)、中证全指半导体(97.77%)和半导体材料设备(98.39%)。

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