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取关于λ的一阶和二阶导数,wegetK′(λ)=ECZ(T)- Z*(T)Z*(t) 圣约翰l(T,Z*) - l(t,·)-f′(Zλ(T))θaFta(4.7)K′(λ)=- EИ(Z(T)- Z*(T))Z*(t) f′(Zλ(t))θFté(4.8)注意到二次可微函数f:R+→ 根据f-散度的非负性(Ali和Silvey 1966),R是凸的。这意味着所有z的f′(z)>0∈ R+。结合E q.4.8,对于所有λ,该条件应为K′(λ)<0∈ [0, 1].对于K(0)=最大λ∈[0,1]K(λ)要保持不变,λ=0处的一阶导数必须满足yk′(0)6 0<=> EQZ"ACZ*(t,·)| Ft"a6 EQZ*"ACZ*(t,·)| Ft"a(4.9),其中工艺CZ*: [0,T]×Ohm → R由CZ定义*(t,·):=l(T,·)- l(t,·)-f′(Z*(T))θ上述不等式适用于所有T∈ [0,T]和所有Z∈ Z(t,Z*). 据艾玛说。4.1,CZ*允许逐步进行可测量的修改,例如CZ*. 特别是在t=0CZ时*(0, · ) = l(T,·)-f′(Z*(T))θ12 YU Feng取一个常数值c:=▄CZ*(0,0),QZ*-a、 事实上,捷克*被视为非参与泛函,因此*(0,ω)=CZ*(0,0)=c表示所有ω∈ Ohm 满足(0,ω)~(0, 0). 因此,QZ*"ACZ*(0,·)=c"a>QZ*"AИCZ*(0,·)=c"a- QZ公司*"ACZ*(0,·)6=~CZ*(0,·)"a=QZ*"AИCZ*(0,·)=c"a- 0>QZ*"A(0, ·) ~ (0,0)"a=QZ*({ω ∈ Ohm | ω(0)=0})=1(4.10)接下来我们证明P"ACZ*(0,·)6 c"a=1,矛盾。相反,假设P"ACZ*(0,·)>c"a>0。我们构造了一个鞅密度Z′∈ Z(0,Z)*) = M+(1)通过设定Z′(t)=ECZ公司*(0,·)>c英尺P"ACZ*(0,·)>所有t的c"a∈ [0,T]。这导致了QZ′"ACZ*(0,·)| F"a=E(Z′(T)CZ*(0,·))=E"ACZ*(0,·)>cCZ*(0,·)"aP"ACZ*(0,·)>c"a>cE"ACZ*(0,·)>c"aP"ACZ*(0,·)>c"a=c,因为我们已经证明CZ*(0,·)=c,QZ*-a、 s.(E q.4.10),等式*"ACZ*(0,·)| F"a=c<EQZ′CZ*(0,·)| F"a根据公式4。9,K′(0)>0(其中一般密度过程Z被构造过程Z′代替∈ Z(0,Z*)).
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