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全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI)全球市场总体规模
绝缘体上硅（SOI，Silicon-on-insulator）被业界公认为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一，是维持定摩尔律走势的一大利器。绝缘体上硅是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，应用于诸如军事和空间电子系统等一些专门场合已有20多年，由于SOI具有良好的抗辐射性和高速特性，使它在这些领域具有独特的优势。随着集成电路核心器件特征尺寸的不断缩减，传统体硅器件的短沟道效应变得愈发不可控。当工艺节点进入到28nm后，全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件凭借其优越的栅极控制能力和较低的漏电流,成为了替代体硅器件的一种选择。
据QYResearch调研团队最新报告“全球全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI)市场报告2023-2029”显示，预计2029年全球全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI)市场规模将达到190.1亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为28.4%。
全球全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI)市场前4强生产商排名及市场占有率（持续更新）
全球范围内，全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI)主要生产商包括中芯国际、STMicroelectronics、Samsung和Globalfoundries等，其中前四大厂商占有大约98%的市场份额。
以上数据参考恒州博智出版的市场调研报告《2023-2029全球与中国全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI)市场现状及未来发展趋势》，我们为客户提供专业的市场调查报告、市场研究报告、可行性研究、IPO咨询、商业计划书等服务，尤其是化工和机械领域构筑了为客户解决统计局、海关、协会等官方单位无法统计到的细分产品数据，这也是在行业内始终处于不可动摇的专业优势的理由所在。
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