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从产品类型及技术方面来看，目前MOSFET和IGBT是最大的两个细分。其中2023年MOSFET规模为43亿美元，占比为38%，包括硅基MOSFET和碳化硅基MOSFET，得益于新能源汽车、充电桩、UPS等需求，近几年碳化硅基MOSFET（模块和单管）增速非常迅速。IGBT包括IGBT模块、单管和IPM，未来几年预计保持快速增长。
从产品市场应用情况来看，2023年汽车及交通是第一大应用领域，得益于新能源汽车的快速发展，推动车规级功率器件如IGBT模块、SiC模块、单管、二极管等产品快速增长。
目前中国市场主要由欧美日等领先厂商主导，尤其在高端领域，核心厂商有英飞凌、安森美、意法半导体、三菱电机(Vincotech)、安世半导体、威世科技、东芝、富士电机、罗姆、瑞萨电子和Wolfspeed等，2022年国外厂商占有大约60%的市场份额。
本土厂商近年来发展迅速，代表性企业有士兰微、扬杰科技、华润微电子、华微电子、斯达半导、无锡新洁能、上海芯导电子科技股份有限公司、捷捷微电、韦尔股份（豪威科技）、苏州固锝、株洲中车时代电气、瑞能半导体科技股份有限公司、银河微电、宏微科技、比亚迪半导体、台基股份、三安光电（三安集成）、中电科55所（国基南方）、深圳基本半导体有限公司、山东晶导微电子股份有限公司等。
电力电子行业发展风险分析
对于国际市场而言，存在的风险有：
1. 市场竞争风险：国际市场以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额，并且前十大半导体分立器件企业市场集中度较高。在研发投入上，英飞凌安森美以及意法半导体高于同行企业，竞争中保持着领先的优势。
2. 贸易摩擦风险：随着 2018 年开始的中美贸易摩擦逐渐加剧，对诸多电子行业终端客户的经营情况产生影响，在全球主要经济体增速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，国际贸易政策存在一定的不确定性。对于中国市场而言，存在的风险有：
1. 竞争风险：半导体分立器件市场化程度高，市场内各企业处于竞争状态，同时中国市场是全球最大的分立器件市场，未来将会吸引更多同行加入，使得竞争加剧。
2. 经济波动风险：电子行业存在于整个国民经济领域，经济形势与行业整体波动具有较强的关联性，宏观经济的景气程度将会使半导体分立器件行业受到影响。
3. 中美贸易风险：中美贸易战导致国内出口环境恶化，计算机及周边设备、通讯设备等行业受到较大影响，终端客户会因出口受阻、市场景气度下降而减少采购。
本文来源恒州博智调研机构出版的【2024-2030中国电力电子市场现状研究分析与发展前景预测报告】最新版行业报告；本文研究中国市场电力电子现状及未来发展趋势，侧重分析在中国市场扮演重要角色的企业，重点呈现这些企业在中国市场的电力电子收入、市场份额、市场定位、发展计划、产品及服务等。历史数据为2019至2024年，预测数据为2025至2030年。本研究项目旨在梳理电力电子领域产品系列，洞悉行业特点、市场存量空间及增量空间，并结合市场发展前景判断电力电子领域内各类竞争者所处地位。
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