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雷达卡
第一章 半导体二极管
1.本征半导体
单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅 Si 和锗 Ge。
导电能力介于导体和绝缘体之间。
特性：光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物
理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越
高，本征激发越强。
空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，
使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。
在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为
复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 3 价元素（多子是空穴，少子是电子）。
N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 5 价元素（多子是电子，少子是空穴）。
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