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雷达卡
2014 年清华大学半导体物理、
年清华大学半导体物理、器件及集成电路考研复试试题
（回忆版）
回忆版）
半导体物理和器件部分：
半导体物理和器件部分：
一、半导体物理和器件的几个判断题，很简单都是基本概念比如 PN 结参杂
浓度高的一边耗尽区的宽度大等
二、解释半导体，金属及绝缘体的导电特性及其原理
三、一个 NN+结， 画他的能带图和载流子分布图，计算它的接触电势
四、一个 BJT 三极管，计算考虑禁带变窄效应时的发射集注入效率，计算集
电极电流及只有一个电压点 Vcb 计算 Va, 不考虑禁带变窄效应时计算那三个系
数。
五、是个很简单的 MOS 管的计算.
模电部分：
模电部分：
一、填空题，基本概念，考了理想集成运放的指标，自激振荡条件等。
二、给你 1KHZ，100KHZ 的两个左边极点，和一个 10KHZ 的零点分别在复平
面的左边和右边，分别画它的幅频特性和相频特性，还有相位裕度
三、一个共源共栅电路，有很多耦合电容，分别计算它的输入电阻，放大倍
数，带宽增益积，还有判断两个管子工作在什么状态，最后一问是计 ...
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