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GaAs基BIB探测器关键技术研究
阻挡杂质带(BIB)太赫兹探测器对于空间太赫兹检测方面具有暗电流小、响应速率快、抗辐射机制优秀等长处。本文所讨论的台面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器,对于我国太赫兹探测领域的发展具有重要的意义。
正文中首先对目前海内外太赫兹技术、太赫兹检测技术的近况、对不同材料的BIB结构的太赫兹探测器进行了简要的说明。随后,本论文主要是围绕台面型Ga As基BIB太赫兹探测器的工作原理、器件制备、性能测试进行了系统探究。
通过理论与实验结合的研究方式,探究并优化BIB探测器的关键性技术,包括热平衡下的载流子浓度、电场分布、光电机制等关键原理技术;砷化镓外延技术、砷化镓深刻蚀工艺、紫外曝光技术、离子注入实施、退火实施等关键制备技术;正常环境下300K室温下背景电流测试、屏蔽背景辐射在完全暗状态下的器件暗电流测试、器件标准黑体响应测试的关键性测试技术。1)基于半导体器件物理和光电器件理论,对BIB探测器的器件结构、热平衡载流子浓度、光电工作机制进行了理论探究和公式推演,BIB探测器中阻挡层的纯度和厚度对于抑制暗电流具有重要作用、吸收层中耗尽区的宽度是影响响应电流信号 ...

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关键词：关键技术 探测器 研究方式 工作原理 性能测试