半导体器件物理II必背公式+考点摘要

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半二复习笔记
MOS结构
费米势：禁带中心能级
(EFi)与费米能级(EF)之差的电势表示
表面势：半导体表面电势与体内电势之差，体内
EFi和表面EFi之差的电势表示
金半功函数差P沟道阈值电压
注意faifn
是个负值
1.3MOS原理
1.MOSFET非饱和区IV公式
2.跨导定义：
VDS一定时，漏电流ID随VGS变化率
，反映了
VGS 对ID 的控制能力
3.提高饱和区跨导途径
4.衬底偏置电压VS
B>，其影响
5.背栅定义：
衬底能起到栅极的作用
。VSB变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变化
；若VGS不
变，则反型沟道
电荷变化，漏电流变化
1.4频率特性
1.MOSFET频率限制因素：
①沟道载流子的沟道运输时间（通常不是主要的限制因素） ②栅电容充放电需要时间
2.截止频率
：器件电流增益为
1时的频率
高频等效模型如下：
栅极总电容CG看题目所给条件
。若为理想，
CgdT为0，CgsT
约等于C
ox，即CG=Cox
；非理想情况即
栅源、栅漏之间
有交叠，产生寄生电容
：①CgdT
的L为交叠部分长度 ②
CgsT
的L为L+交叠部分长度（
CgsT
=C ...

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关键词：半导体 需要时间 复习笔记 FET SFE