西安交通大学微电子制造技术第十二章金属化

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西安交通大学微电子制造技术第十二章金属化
概  述
  金属化是指芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜，并通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。金属线被夹在两个绝缘介质层中间形成整体。高性能的微处理器用金属线在一个芯片上连接成千上万甚至上亿个器件，所以其复查程度是可想而知的。  由于ULSI组件的密度增加，互联线的宽度和间距在不断变小。互连电阻和寄生电容也会随之增加，从而降低了信号的传输速度。  减小互连电阻可通过用铜取代铝作为基本的导电金属已成为现实。除此之外，对于亚微米的线宽，还需要采用低K值层间介质(ILD)降低介电常数来减少寄生电容。
学 习 目 标
1.了解芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用；2.解释在芯片制造过程中使用各种金属的优缺点，描述应用铜的挑战；3.分析溅射的优点和缺点；4.了解铜电镀的基础；5.熟悉双大马士革法的工艺流程。

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关键词：西安交通大学 制造技术 西安交通 交通大学 电子制造