范德华异质结紫外光电探测器的设计与性能研究

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范德华异质结紫外光电探测器的设计与性能研究
自石墨烯被发现以来,具有原子层级厚度,层间范德华力堆叠和表面无化学悬挂键等特性的二维层状纳米材料展现出一系列优异的光电性质,从而受到研究人员的高度重视,并被广泛应用于各类电子和光电子器件中。在范德华力结合的层状材料中,结构和电子多样性的出现为基础科学研究和应用器件设计开辟了新的途径,为探索新奇的物理现象和内在机制提供了一个理想的研究平台。
在种类繁多的二维材料体系中,二维过渡金属硫属化物（TMDs）由于其良好的化学稳定性、高载流子迁移率和层数依赖的可调带隙,成为制备光电子器件的理想材料。其中,二硫化钼（MoS<sub>2</sub>）是目前TMDs中研究最为广泛的二维材料,当其层数由块体减少至单层时,MoS<sub>2</sub>由1.2 eV的间接带隙半导体转变为1.9 eV直接带隙半导体。
另外,作为新发现的贵金属硫化物,二硒化铂（PtSe<sub>2</sub>）具有更宽的可调带隙,其单层带隙为1.2 eV,双层带隙为0.21 eV,块体材料为半金属零带隙。这些优异的光电特性为设计构建高性能光电探测器提供了良好的材料基础。
目前基于不同 ...

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关键词：探测器 紫外光 金属硫化物 电子器件 二硫化钼