锌基II-VI族半导体纳米材料分级可控生长、形貌和性能调控

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锌基II-VI族半导体纳米材料分级可控生长、形貌和性能调控
纳米材料形貌和性能的可控成为新阶段研究的主旋律。本文以ZnO和ZnS纳米材料为研究对象,在可控生长、形貌和性能的调控等方面做了比较系统的工作,创新成果如下:1.发展了气相法和分级生长技术,分四步组装了ZnO微米晶/纳米孔洞/纳米墙/纳米棒复杂结构,实现了对紫外光与绿光的消长比以及E<sub>2H</sub>声子振动频率在431-439 cm<sup>-1</sup>范围的控制。
2.改进了常规气相法的工艺参数,控制了纳米棒在炉体内悬浮的时间,制备了具有优异激子发射性能的ZnO捆状纳米棒顺排聚集体,提出了自组装顺排取向生长的新模式。3.设计实验方案,控制了成核方式、生长界面、过饱和度、分子扩散速度和扩散自由程等动力学因素,合成了多种ZnS特异形貌的纳米结构。
这些结构表现出常规简单结构所不具有的新奇物性,如塔状结构发射出很强的黄色荧光,出现233和488 cm<sup>-1</sup>反常的拉曼峰等。4.设计了荧光试验,研究了ZnO纳米材料荧光的反常不稳定现象,如降低激发光强度,紫外峰蓝移,绿峰红移,峰宽窄化、峰强先升后降等。
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关键词：纳米材料 半导体 创新成果 研究对象 新模式