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(SDC/YSZ)_N超晶格电解质的制备及性能
本文用MgO单晶片作为基底采用脉冲激光法(PLD)制备SDC/YSZ (Ceo.8Sm 0.2O2-δ/ZrO2:8 mol% Y2O3)双层电解质薄膜。并通过X射线衍射谱(XRD)、扫描电镜微观形貌(SEM)、电化学性能测试等,探究了退火温度对薄膜性能的影响。
SDC/YSZ双层电解质薄膜均沿(111)方向择优生长,退火温度升高,薄膜的结晶度得到改善,(111)衍射峰强度变大,择优生长取向更明显。增加退火温度,薄膜与基底的结合程度更紧密,薄膜均匀性得到改善,薄膜的致密性也逐渐增加。
外延生长状况得到改善。从而得到薄膜能够进行很好外延生长所需要的最佳退火温度。
SDC/YSZ双层电解质薄膜的电导率比YSZ体材料的电导率高很多,同时也比单层SDC和单层YSZ薄膜的电导率高。使用脉冲激光沉积技术(PLD)制备了20%摩尔氧化钐掺杂的氧化铈(Ce0.8Sm0.2O2-δ,SDC)和8%摩尔的氧化钇稳定的氧化锆(8YSZ)多层外延异质薄膜。
制备了五种(SDC/YSZ)N超晶格样品,所有样品的总厚度恒定(300纳米),但具有不同数目的异质结界面( ...

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关键词：SDC 电解质 性能测试 电导率 电化学