多重透射反射红外光谱(MTR-IR)测量晶硅薄片碳氧含量和晶硅表面高分子刷图案化

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多重透射反射红外光谱（MTR-IR）测量晶硅薄片碳氧含量和晶硅表面高分子刷图案化
在CZ直拉法生产硅片的过程中,由于使用了石英(Si02)坩埚和石墨(C)加热部件,所以在熔硅过程中会不同程度地引入氧碳杂质。氧以间隙原子的形式存在于硅晶格中,故称间隙氧(InterstitialOxygen,Oi)。
碳在硅晶体中取代硅原子的位置,称为代位碳(Substitutional Carbon,Cs)。间隙氧和代位碳是直拉(CZ)硅中氧碳的最主要存在形式,其含量的高低不仅影响硅材料的本征吸收,而且对材料的物理和导电特性产生影响。
氧的不利之处是产生微缺陷,有利之处是对位错的延伸产生钉扎作用,增强硅片强度,其本征吸杂技术可防止生产工艺中缺陷的产生。高碳含量影响氧的成核和沉淀,还会导致器件软化特性和二次击穿。
因此,硅中氧碳含量的控制成为改善材料性能的一种手段,然而,要控制氧碳含量首先必须测量准确。利用双嵌段共聚物聚苯乙烯-聚乙烯吡啶(polystyrene-block-poly-(4-vinyl pyridine),PS-b-P4VP;polystyrene-block-poly-(2-vinyl  ...

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关键词：MTR 高分子 红外光 substitution interst