楼主: ruhemiadui
141 0

[课件与资料] MOS器件物理--转移特性曲线 [推广有奖]

  • 0关注
  • 12粉丝

已卖:2332份资源
好评率:99%
商家信誉:一般

硕士生

50%

还不是VIP/贵宾

-

威望
0
论坛币
1138 个
通用积分
2722.4985
学术水平
6 点
热心指数
8 点
信用等级
10 点
经验
-6594 点
帖子
0
精华
0
在线时间
356 小时
注册时间
2012-6-24
最后登录
2026-1-28

楼主
ruhemiadui 发表于 2025-3-31 15:18:02 |AI写论文

+2 论坛币
k人 参与回答

经管之家送您一份

应届毕业生专属福利!

求职就业群
赵安豆老师微信:zhaoandou666

经管之家联合CDA

送您一个全额奖学金名额~ !

感谢您参与论坛问题回答

经管之家送您两个论坛币!

+2 论坛币
MOS器件物理--转移特性曲线
转移特性曲线
在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。
转移特性的另一种表示方式
增强型NMOS转移特性
耗尽型NMOS转移特性
转移特性曲线
在实际应用中,生产厂商经常为设计者提供的参数中,经常给出的是在零电流下的开启电压   注意      ,Vth0为无衬偏时的开启电压,而   是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压,实际上为零电流的栅电压从物理意义上而言,  为沟道刚反型时的栅电压,仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关;而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。
二维码

扫码加我 拉你入群

请注明:姓名-公司-职位

以便审核进群资格,未注明则拒绝

关键词:实际应用 设计者 IDS 增强型 生产厂

您需要登录后才可以回帖 登录 | 我要注册

本版微信群
扫码
拉您进交流群
GMT+8, 2026-1-31 19:11