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CMOS模拟集成电路设计
复 习 题 一
1. 以N型MOSFET为例，画出对应I-V特征曲线，即IDS与 VDS,VGS关系，并标出MOSFET线性区和饱和区范围，给出各区域成立条件
2. 画出一个经典P阱CMOS工艺反向器垂直剖面示意图，要求器件各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位

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关键词：集成电路设计 ppt课件 集成电路 CMOs 电路设计