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基本构造n+ 衬底，漏极 Dn- 外延层，漂移区p 阱（又叫 p 基区
或体区）n+ 源区，源极 S多晶硅栅，栅氧层，
栅极 G
整个器件旳构成前述构造实际只是器件旳一种元胞，整个器件实际是由诸多这么旳元胞并联而成旳剖面图

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关键词：多晶硅 剖面图