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雷达卡
磁阻随机存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）是一种非易失性内存技术。其基本存储单元是磁性隧道结（MTJ），由两个铁磁金属层夹着一个隧穿势垒层构成类似三明治的结构。其中一个铁磁层为参考层或固定层，磁化方向固定不变；另一个是自由层，其磁化有两个稳定取向，分别与参考层平行或反平行，对应磁隧道结的低阻态和高阻态，利用隧穿磁阻效应来存储二进制数据 “0” 和 “1”，即通过磁化方向不同导致的磁电阻不同来记录信息。
MRAM，全球市场总体规模
据QYResearch调研团队最新报告“全球MRAM市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球MRAM市场规模将达到11.8亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为23.6%。
全球MRAM市场前8强生产商排名及市场占有率（基于2024年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）
根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内MRAM生产商主要包括Everspin Technologies、Avalanche Technology、Honeywell、Renesas、Crocus Nano Electronics等。2024年，全球前四大厂商占有大约59.0%的市场份额。
MRAM，全球市场规模，按产品类型细分，Toggle MRAM处于主导地位
就产品类型而言，目前Toggle MRAM是最主要的细分产品，占据大约51.7%的份额。
MRAM，全球市场规模，按应用细分，航空航天是最大的下游市场，占有23.2%份额。
就产品应用而言，目前航空航天是最主要的需求来源，占据大约23.2%的份额。
市场驱动因素
性能优势：具有高速读写能力，速度接近静态随机存储器（SRAM），同时具备动态随机存储器（DRAM）的高集成度，还拥有非易失性，即断电后数据不会丢失，且可无限次重复写入，在速度、集成度、非易失性和耐久性等方面实现了较好的平衡，能满足多种应用场景对存储器的高性能要求。
功耗较低：穿隧式磁电阻材料电阻值大，使得组件功耗低。对于一些对功耗要求严格的设备，如物联网设备、可穿戴设备和移动终端等，MRAM 能够帮助延长设备的电池续航时间，降低能源消耗成本，符合绿色节能的发展趋势。
应用场景广泛：物联网、人工智能、大数据等新兴应用领域快速发展。在物联网中，大量的传感器节点需要存储数据，MRAM 的非易失性和低功耗特性使其能够在各种复杂环境下稳定工作；在人工智能和大数据领域，对数据的快速读写和处理需求旺盛，MRAM 的高性能可以有效提升计算效率。此外，在汽车电子、航空航天等领域，由于其抗辐射能力强，也有广泛的应用前景。
行业发展需求：随着半导体工艺特征尺寸不断缩小，传统的基于互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的存储器遇到性能瓶颈，如 SRAM 和 DRAM 的静态功耗加剧、处理器与存储器的互连延迟限制系统主频等问题。MRAM 作为非易失性存储器，可通过后道工艺直接集成于 CMOS 电路上，减小互连延迟，有望解决传统存储器面临的一些问题，满足行业发展对存储器的新要求。
市场挑战
技术层面：真实器件材料体系复杂，需要进一步优化材料性能和制备工艺，以提高磁隧道结的性能和稳定性；开关比低，即高低阻态之间的电阻差值不够大，影响数据的准确读取和写入；与 CMOS 工艺的完全匹配还存在一定困难，需要解决工艺兼容性问题，以实现大规模集成和降低成本。
成本层面：目前 MRAM 的生产规模相对较小，尚未达到像传统 DRAM 和 NAND 闪存那样的大规模量产水平，因此单位成本较高。此外，其制造过程较为复杂，需要高精度的工艺和设备，这也增加了制造成本，使得其在价格敏感的市场中推广受到一定限制。
竞争层面：传统的 DRAM 和 NAND 闪存技术成熟，市场份额大，产业链完善，并且它们也在不断发展和创新，以提升性能和降低成本。同时，其他新兴存储技术如电阻式随机存取存储器（ReRAM）、铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PCM）等也在不断发展，与 MRAM 在不同应用领域形成竞争关系，这使得 MRAM 在市场拓展方面面临较大压力。
京公网安备 11010802022788号
