电子科技大学2021年9月《电子技术基础》作业考核试题及答案参考14

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电子科技大学2021年9月《电子技术基础》作业考核试题及答案参考
1.为了改善整流电压的脉动程度，要在整流电路中加接( )。
为了改善整流电压的脉动程度，要在整流电路中加接( )。
A.稳压器
B.滤波器
C.变频器
参考答案：B
2.三态逻辑门输出的状态包括( )。
三态逻辑门输出的状态包括( )。
A.高电平
B.低电平
C.低阻态
D.高阻态
参考答案：ABD
3.在多级直流放大器中，零点漂移影响最严重的是( )。
A.输入级
B.中间级
C.输出级
参考答案：A
4.与TTL门电路比较，CMOS逻辑电路的特点( )。
与TTL门电路比较，CMOS逻辑电路的特点( )。
A.集成度高
B.静态功耗低
C.带负载能力强
D.带负载能力弱
参考答案：ABC
5.场效应管和双极型晶体管相比较，以下属于场效应管的特点的是( )。
场效应管和双极型晶体管相比较，以下属于场效应管的特点的是( )。
A.只有一种载流子参与导电，称为单极型
B.自由电子和空穴同时参与导电
C.电压控制型，栅极无电流，驱动电流很小
D.电流控制型，有基极电流，需要一定的驱动电流
参考答案：AC
6.晶体管的反向和 ...

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关键词：电子科技大学 电子技术基础 电子技术 电子科 参考答案

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