齐纳击穿教案课件

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齐纳击穿
和雪崩击穿
在通常情况下，反向偏置的
PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后
PN结突然开始有大电流导通（
如图）。这个突然的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压
。导致反向击穿的一个机制是
齐纳击穿
ZENER BREAKDOW
N在重掺杂的
PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿
。导致反向击穿的
另一个机制是
雪崩击穿
Avalanche Multiplication
材料掺杂浓度较低的
PN结中,当PN结反向电压增加时
,空间电荷区中的电场随着增强
.这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发 ...

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关键词：avalanche cation multip anche multi