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投资摘要：
每周一谈：受益周期上行国产存储龙头经营提升明显
长鑫科技发布招股书，受益于周期上行，毛利率和盈利改善明显。根据招股书，公司拟募集资金295亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。公司2025Q1-Q3实现营收320.84亿元，归母净利润-52.80亿元，扣非归母净利润-10.62亿元，公司预估全年营收在550-580亿元，归母净利润-16至-6亿元，扣非归母净利润28-30亿元。2025年Q3，在DRAM产品市场价格上涨、公司产销规模持续提升等因素的带动下，公司营业收入同比增长148.80%，综合毛利率上升至35.00%。
2025年，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，以及2025年下半年以来DRAM产品价格的快速上涨，公司预计全年营收同比大幅增加，归母净利润亏损金额同比大幅收窄。
公司逐步进入主要厂商阵营，基于Omdia数据测算，按2025Q2DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。根据Yole数据，2024年中国DRAM市场规模约为250亿美元，占全球DRAM市场规模的比重超过四分之一。作为全球主要的DRAM需求市场，中国在该领域长期高度依赖进口，DRAM本土厂商仍有广阔的市场空间。
DRAM景气上行周期延续。根据TrendForce集邦咨询最新调查，2026Q1由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用，以满足AI Server需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM合约价将季增55-60%，增幅较2025Q4加大。
建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。
投资策略：建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。
风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧
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