几种锌基氧化物薄膜的原子层沉积制备、生长特性与性能表征

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几种锌基氧化物薄膜的原子层沉积制备、生长特性与性能表征
在近几十年里,材料科学取得了长足的发展。随着信息时代的来临和多学科的交叉,人们对具备各种优异性能的新材料需求日益迫切。
半个世纪由于微电子领域遵循摩尔定律,保持高速成长,薄膜的制备技术也得到了迅猛发展,并在高新技术领域中起着举足轻重的作用。原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD)正是在这样的背景下诞生的,并凭借其对薄膜厚度精确至原子层的控制、大面积的均匀性和良好的三维贴合性等优势,正在越来越多的领域获得应用。
氧化锌是一种重要的直接带隙半导体材料,在光电子器件、压电器件、气敏元件、薄膜晶体管、固态白光照明、日用化工、医药卫生、光催化等领域有着重要而广泛的应用。而且作为明星材料,ZnO资源丰富,价格便宜,无毒安全,环境友好,具有巨大的商业价值,关于ZnO体系及其掺杂改性的研究一直是国际上多个领域的重要前沿和热点课题。
因此,本论文针对蓬勃发展中的原子层沉积技术和几种具有实际应用价值的Zn基氧化物材料,开展了ZnO、Al掺杂ZnO以及Zn-Ti-O三元氧化物薄膜等的ALD沉积工作,系统研究了工艺条件对 ...

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关键词：氧化物 position Deposit Atomic 半导体材料