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[其他] 2026-2032Si3N4氮化硅陶瓷基板行业集中度深度分析 [推广有奖]

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YHResearch恒州诚思 发表于 昨天 09:20 |AI写论文

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Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)产品定义

氮化硅 (SiN) 陶瓷基板是通过热压或烧结高纯度氮化硅粉末制成的先进陶瓷板。这些基板具有高导热性、优异的断裂韧性和强大的抗热循环性能,使其成为对机械强度和热管理要求极高的极端环境的理想选择。它们主要用作活性金属钎焊 (AMB) 基板的绝缘和结构核心,将铜焊接到裸陶瓷表面,形成一个可直接用于电路的平台。

Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板),全球市场总体规模,预计2032年达到708百万美元

根据YHResearch最新调研报告“全球Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)市场研究报告2026-2032”显示,预计2032年全球Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)市场规模将达到708百万美元,未来几年年复合增长率CAGR16.71%

Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)全球市场驱动因素

汽车电气化浪潮

全球电动汽车销量从2021年的650万辆增至2025年的2,300万辆,带动SiC功率模块需求激增。Si₃N₄基板作为AMB(活性金属钎焊)基板的核心材料,可承受SiC器件高开关频率(>100 kHz)与高电压(>1,200 V)产生的热冲击,成为牵引逆变器、车载充电机的首选散热方案。

可再生能源转型

光伏逆变器与风电变流器对效率的要求持续提升,Si₃N₄基板凭借低热阻(<10 K·cm²/W)特性,助力功率密度提升30%以上。2025年全球可再生能源装机容量突破4,000 GW,推动基板在能源领域的渗透率提升至12%。

工业驱动器升级

工业电机向高效化、小型化发展,Si₃N₄基板在高频驱动场景中可降低系统损耗15%,2025年工业领域需求占比达8%。

技术突破降低成本

2023年日本京瓷通过优化烧结工艺,将基板良率从75%提升至88%,叠加中国富乐华等企业实现高纯度氮化硅粉末国产化,推动毛利率从25%升至28%。

政策与标准推动

欧盟《电子元件可靠性与安全性法规》要求2025年后所有车载功率模块需通过-40℃至175℃热循环测试,Si₃N₄基板成为唯一满足要求的材料。

Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)未来五年发展机遇

800V高压平台普及

2026年起,保时捷Taycan、比亚迪e平台3.0等800V车型量产,SiC模块需求翻倍,带动Si₃N₄基板市场规模以18%年增速扩张。

氢能产业链崛起

燃料电池电堆需在-30℃至85℃宽温域运行,Si₃N₄基板凭借抗热震性成为双极板封装材料,2030年氢能领域需求占比或达5%。

航空电源轻量化

空客A380、波音787等机型采用SiC基功率模块,Si₃N₄基板密度(3.2 g/cm³)较Al₂O₃基板降低40%,助力航空电源系统减重30%。

消费电子快充升级

2028年全球GaN快充市场规模突破100亿美元,Si₃N₄基板在65W以上快充中渗透率超60%,推动0.25mm超薄基板需求激增。

区域市场差异化增长

亚太地区(中国、日本、韩国)凭借完整的SiC产业链,2032年市场份额将达65%;欧洲受《绿色协议》推动,可再生能源领域需求CAGR达20%。

Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)市场发展阻碍因素

上游原料依赖进口

高纯度氮化硅粉末(纯度>99.9%)70%依赖日本UBE、德国H.C. Starck,2022年地缘政治冲突导致价格波动超30%。

加工设备国产化率低

精密研磨机、激光切割机等核心设备90%来自德国DMG Mori、日本Disco,设备交付周期长达18个月。

大尺寸基板良率不足

150mm×150mm以上基板烧结变形率超15%,导致罗杰斯、贺利氏等AMB厂商采购意愿降低。

认证周期长

汽车级基板需通过AEC-Q200、ISO/TS 16949等认证,从送样到量产需2-3年,中小企业难以承担时间成本。

回收体系缺失

Si₃N₄基板回收需高温氢化处理,技术复杂且成本高昂,2025年全球回收率不足5%,资源浪费问题突出。

Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)产业链深度解析

上游

高纯度氮化硅粉末(核心成本占比40%)由日本UBE、德国H.C. Starck主导,中国中材高新氮化物2023年实现4N级粉末量产,打破国外垄断。

中游

全球主要生产商包括日本丸和(MARUWA)、京瓷、中国富乐华等,其中丸和凭借0.25mm超薄基板技术占据高端市场35%份额。

下游

AMB厂商如罗杰斯、富乐华将基板金属化后供应给英飞凌、安森美等SiC模块厂商,最终集成至特斯拉、比亚迪等车企的逆变器中。

Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)未来趋势展望

高材料创新

2026年日本东芝将推出掺杂Al₂O₃的复合Si₃N₄基板,导热性提升至100 W/m·K,成本降低20%。

工艺突破

中国威海圆环2025年实现激光3D打印基板量产,生产周期从45天缩短至7天。

生态合作

2027年京瓷与西门子成立联合实验室,开发面向航空电源的1,200V Si₃N₄基板解决方案。

区域竞争

中国凭借成本优势(较日本低30%)与政策支持,2032年全球市场份额或从2025年的25%提升至40%。

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关键词:行业集中度 深度分析 氮化硅 集中度 Research

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